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天眼查App顯示，中芯國(guó)際集成電路制造（天津）有限公司、中芯國(guó)際集成電路制造（北京）有限公司及中芯國(guó)際集成電路制造（上海）有限公司聯(lián)合申請(qǐng)了一項(xiàng)名為“GOI測(cè)試結(jié)構(gòu)”的發(fā)明專(zhuān)利，該專(zhuān)利已于2023年6月28日公布，預(yù)計(jì)將于2024年12月31日正式公開(kāi)。

該專(zhuān)利涉及一種新型的GOI（Gate Oxide Integrity，柵氧化層完整性）測(cè)試結(jié)構(gòu)，主要用于集成電路制造過(guò)程中的質(zhì)量檢測(cè)。專(zhuān)利的核心技術(shù)在于其獨(dú)特的柵極結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)，該結(jié)構(gòu)僅覆蓋基底有源區(qū)的一部分，從而在測(cè)試時(shí)能夠更準(zhǔn)確地評(píng)估柵介質(zhì)層的完整性。

專(zhuān)利摘要顯示，該測(cè)試結(jié)構(gòu)包括基底和柵極結(jié)構(gòu)，柵極結(jié)構(gòu)覆蓋基底有源區(qū)的部分區(qū)域，并作為第一測(cè)試端。在柵極結(jié)構(gòu)暴露的基底中設(shè)有拾取端，作為第二測(cè)試端。通過(guò)這種設(shè)計(jì)，測(cè)試電流可以在同一有源區(qū)的基底中流動(dòng)，避免了淺槽隔離結(jié)構(gòu)對(duì)測(cè)試結(jié)果的影響，從而提高了測(cè)試的可靠性。

該專(zhuān)利的發(fā)明人牛剛、趙曉東和于濤表示，這一技術(shù)突破將有助于提升集成電路制造過(guò)程中的質(zhì)量控制，減少因測(cè)試誤差導(dǎo)致的產(chǎn)品缺陷。

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