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中芯國際新專利:半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成方法提升性能

天眼查App顯示,近日,中芯國際集成電路制造(北京)有限公司和上海有限公司聯(lián)合公開了一項名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及形成方法”的發(fā)明專利,專利號為CN202310781088.4。該專利涉及一種新型半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其形成方法,旨在通過優(yōu)化晶圓鍵合技術(shù),提升半導(dǎo)體器件的整體性能。

根據(jù)專利摘要,該半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括第一晶圓和第二晶圓,兩者通過鍵合面相互連接。第一晶圓和第二晶圓的鍵合面上分別設(shè)有鍵合標(biāo)記,且晶圓的邊緣側(cè)壁具有定位缺口。通過精確對準(zhǔn)鍵合標(biāo)記,并確保定位缺口的投影不重疊,該技術(shù)能夠有效減少鍵合過程中的誤差,從而提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的可靠性和性能。

中芯國際作為中國領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造企業(yè),一直致力于技術(shù)創(chuàng)新和工藝優(yōu)化。此次公開的專利不僅展示了公司在半導(dǎo)體制造領(lǐng)域的技術(shù)實力,也為未來半導(dǎo)體器件的性能提升提供了新的解決方案。

該專利預(yù)計將于2024年12月31日正式公布,屆時將進(jìn)一步推動半導(dǎo)體行業(yè)的技術(shù)進(jìn)步。

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