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天眼查App顯示，拉普拉斯新能源科技股份有限公司于2024年9月23日申請了一項(xiàng)名為“半隧穿背接觸電池及其制備方法”的發(fā)明專利，并于2024年12月31日正式公開。該專利涉及一種新型太陽能電池技術(shù)，通過獨(dú)特的結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)和制備工藝，旨在提高電池的效率和性能。

根據(jù)專利摘要，該半隧穿背接觸電池包括硅基底、第一極性區(qū)和第二極性區(qū)。硅基底具有相對的正面和背面，第一極性區(qū)位于硅基底的背面，包括隧穿氧化層和摻雜有硼原子的第一硅層。第二極性區(qū)設(shè)于硅基底內(nèi)，與第一極性區(qū)間隔排布。硅基底的背面中第一極性區(qū)所在的區(qū)域?yàn)閽伖饷?，第二極性區(qū)所在的區(qū)域?yàn)榻q面。

該專利的發(fā)明團(tuán)隊(duì)由梁笑、秦宇凡、范偉、毛文龍、熊賢明和林佳繼組成，他們通過創(chuàng)新的技術(shù)手段，解決了傳統(tǒng)太陽能電池在效率和性能上的瓶頸問題。該技術(shù)的應(yīng)用有望推動(dòng)太陽能電池行業(yè)的發(fā)展，為可再生能源領(lǐng)域帶來新的突破。

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